光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領(lǐng)域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。
為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術(shù)節(jié)點，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 。為此，研發(fā)了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料(常被稱作Underlayer)，其對光是不敏感的。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含Si的光刻膠刻蝕速率遠小于Underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 。
在這種情況下，光刻膠的顆粒管控就顯得尤為重要。PMT-2在光刻膠應用中一般常用0.06-0.2um和0.1-0.5um，這兩個檢測范圍。普洛帝測控給某院某部門提供了成套的光刻膠檢測系統(tǒng)。本系統(tǒng)已經(jīng)應用到實際監(jiān)測中，并良好運轉(zhuǎn)。
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